选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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DIODES23+ |
3000 |
SOT26 |
深圳现货支持实单 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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DIODES(美台)SOT26 |
13862 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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DIODES(美台)SOT26 |
18130 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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DIODESN/P |
3000 |
23+ |
深圳现货支持实单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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DIODES/美台NA/ |
3730 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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DIODES(美台)SOT236 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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DIODESSOT23-6 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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DIODESSOT23-6 |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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Diodes/美台NA |
12000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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DIODES(美台)SOT236 |
6000 |
23+ |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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DIODES(美台)SOT-23-6 |
102 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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DIODES/美台SOT23-6 |
90 |
23+ |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
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Diodes |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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DIODES/美台SOT23-6 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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讯运(深圳/上海)电子有限公司10年
留言
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DIODES(美台)SOT-23-6 |
970 |
2021+ |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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DIODES(美台)SOT-23-6 |
33087 |
2227+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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DIODES/美台SOT-23-6 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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DIODESSOT-23-6 |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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DIODESSOT-23-6 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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DIODES/ZETEX原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
ZXGD3004E6TA采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
ZXGD3004E6TA图片
ZXGD3004E6TA价格
ZXGD3004E6TA价格:¥1.4470品牌:Diodes
生产厂家品牌为Diodes的ZXGD3004E6TA多少钱,想知道ZXGD3004E6TA价格是多少?参考价:¥1.4470。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,ZXGD3004E6TA批发价格及采购报价,ZXGD3004E6TA销售排行榜及行情走势,ZXGD3004E6TA报价。
ZXGD3004E6TA中文资料Alldatasheet PDF
更多ZXGD3004E6TA功能描述:功率驱动器IC 8A Gate Driver Mosfet RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
ZXGD3004E6TA
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
低端
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
40V(最大)
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
8A,8A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
13.4ns,12.4ns
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-23-6
- 供应商器件封装:
SOT-23-6
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6