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YSULCXX04P10	文件：1.11915 Mbytes Page：4 Pages	DEVICE CHARACTERISTICS	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
04P10P	文件：1.90761 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
04P10PL	文件：1.90778 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BZW04P10	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZW04P10	文件：509.04 Kbytes Page：4 Pages	AXIALLEADEDTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
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BZW04P10	文件：74.81 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package •400Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Lowincrementalsurgeresistance •Excellentclampingcapability	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
BZW04P10	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINITYPELEDLAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子	DBLECTRO
BZW04P10	文件：51.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:400Watts FEATURES: 400Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min) *TypicalIRlessthen1mAabove10V	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZW04P10	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	TransZorbTransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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