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YJD90N06A

中低压MOSFET(12V-400V)

YJ

益嘉源

90N06

Drain Current ?밒D= 90A@ TC=25C

文件:137.72 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

ADM90N06Q

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM90N06Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with

文件:337.16 Kbytes 页数:4 Pages

ADV

爱德微

HM90N06D

N-Channel Trench Power MOSFET

文件:634.29 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

技术参数

  • Status:

    Active

  • ESD:

    No

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    N

  • VDSS (V):

    60

  • ID (A):

    90

  • PD (W):

    110

  • VGS (V):

    ±20

  • Tj (℃):

    150

  • Vth_Typ(V):

    1.5

  • Rdson@VGS10V_TYP(mΩ):

    5.6

  • Rdson@VGS10V_Max(mΩ):

    7.2

  • Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ):

    6.8

  • Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ):

    8.5

  • Ciss_Typ(pF):

    5170

  • Coss_Typ(pF):

    300

  • Crss_Typ(pF):

    155

  • Qg_Typ(nC):

    102

  • Grade:

    Standard

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更多YJD90N06A供应商 更新时间2026-1-26 11:06:00