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CC1310	文件：2.9638 Mbytes Page：72 Pages	CC2652PSIPSimpleLink??Multiprotocol2.4-GHzWirelessSystem-in-PackageWithIntegratedPowerAmplifier 1Features Wirelessmicrocontroller •Powerful48-MHzArm®Cortex®-M4Fprocessor •352KBflashprogrammemory •256KBofROMforprotocolsandlibraryfunctions •8KBofcacheSRAM •80KBofultra-lowleakageSRAMwithparityfor high-reliabilityoperation •Dynamicmultiprotocolmanager(	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CC1310	文件：1.75855 Mbytes Page：54 Pages	CC2642R-Q1SimpleLink™Bluetooth®5.2LowEnergyWirelessMCU 1Features Wirelessmicrocontroller •Powerful48-MHzArm®Cortex®-M4processor •EEMBCCoreMark®score:148 •352KBflashprogrammemory •256KBofROMforprotocolsandlibraryfunctions •8KBofcacheSRAM •80KBofultra-lowleakageSRAMwithparityfor high-reliabilityoperation •2-	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CC1310	文件：3.51768 Mbytes Page：63 Pages	CC2651P3SimpleLink??Single-Protocol2.4GHzWirelessMCUWithIntegratedPowerAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CC1310	文件：1.47595 Mbytes Page：54 Pages	SimpleLinkUltralowPowerSub-1-GHzWirelessMCU	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CC1310	文件：3.63739 Mbytes Page：69 Pages	CC2674R10SimpleLink™High-PerformanceMultiprotocol2.4-GHzWirelessMCU 1Features Wirelessmicrocontroller •Powerful48MHzArm®Cortex®-M33processor withTrustZone® •FPUandDSPextension •1024kBflashprogrammemory •8kBofcacheSRAM •256kBofultra-lowleakageSRAMwithparityfor high-reliabilityoperation –32kBofadditionalSRAMisavailabl	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CC1310	文件：3.59194 Mbytes Page：91 Pages	CC1354P10SimpleLink™High-PerformanceMulti-bandWirelessMCUWithIntegratedPowerAmplifier 1Features Wirelessmicrocontroller •Powerful48MHzArm®Cortex®-M33processor withTrustZone® •FPUandDSPextension •1024kBflashprogrammemory •8kBofcacheSRAM •256kBofultra-lowleakageSRAMwithparityfor high-reliabilityoperation –32kBofadditionalSRAMisavailabl	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CC1310	文件：2.21766 Mbytes Page：63 Pages	CC2340R5-Q1SimpleLink™Bluetooth®5.3LowEnergyWirelessMCU 1Features Wirelessmicrocontroller •AEC-Q100Grade2qualifiedforAutomotive applications •Optimized48-MHzArm®Cortex®-M0+processor •512KBofin-systemprogrammableflash •12KBofROMforbootloaderanddrivers •36KBofultra-lowleakageSRAM.FullRAM retentioninstandbymod	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CC1310	文件：1.74342 Mbytes Page：7 Pages	UltraLowPowersub1GHzMultichannelsRadioTransceiver Feature: IEEE802.15.4gmodeswitchsupport UltraLowconsumptiontechnology PowerfulARMCortexM3 SupportedbytheopenplatformContiki6LoWPAN. VerySmallsize	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
CC1310	文件：3.65151 Mbytes Page：72 Pages	CC2674P10SimpleLink™High-PerformanceMultiprotocol2.4-GHzWirelessMCUwithIntegratedPowerAmplifier 1Features Wirelessmicrocontroller •Powerful48MHzArm®Cortex®-M33processor withTrustZone® •FPUandDSPextension •1024kBflashprogrammemory •8kBofcacheSRAM •256kBofultra-lowleakageSRAMwithparityfor high-reliabilityoperation –32kBofadditionalSRAMisavailabl	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CCM1310	文件：182.19 Kbytes Page：2 Pages	PowerEntryModules	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CCM1310-ND	文件：182.19 Kbytes Page：2 Pages	PowerEntryModules	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CDCLVC1310	文件：1.25985 Mbytes Page：28 Pages	Ten-OutputLow-JitterLow-PowerClockBuffer	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CDCLVC1310RHBR	文件：1.46932 Mbytes Page：30 Pages	Ten-OutputLow-JitterLow-PowerClockBufferandLevelTranslator	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CDCLVC1310RHBR	文件：1.25985 Mbytes Page：28 Pages	Ten-OutputLow-JitterLow-PowerClockBuffer	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CEB1310S	文件：930.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,85A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB1310SL	文件：499.33 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,88A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED1310S	文件：440.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,74A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED1310SL	文件：502.35 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,76A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=11.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEEH1310	文件：145.31 Kbytes Page：2 Pages	CurrentSenseTransformerType:CEEH>Series>	SUMIDA Sumida America Components Inc.	SUMIDA
CEEH1310C	文件：187.11 Kbytes Page：1 Pages	CurrentTransformer	SUMIDA Sumida America Components Inc.	SUMIDA

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更多YH1310供应商更新时间2024-5-10 21:46:00

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