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AP2607GY-HF	文件：101.03 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
APA2607	文件：571.86 Kbytes Page：26 Pages	6WStereoClass-DAudioPowerAmplifier	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APA2607QBI-TRG	文件：571.86 Kbytes Page：26 Pages	6WStereoClass-DAudioPowerAmplifier	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2607	文件：598.1 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-3A,RDS(ON)=100mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23-6Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPo	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2607CC-TR	文件：598.1 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-3A,RDS(ON)=100mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23-6Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPo	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
AUIRF2607ZTRL	文件：288.39 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET V(BR)DSS75V RDS(on)typ.17.6mΩ max.22mΩ ID(SiliconLimited)45A ID(PackageLimited)42A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resista	IRF International Rectifier	IRF
AUIRF2607ZTRR	文件：288.39 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET V(BR)DSS75V RDS(on)typ.17.6mΩ max.22mΩ ID(SiliconLimited)45A ID(PackageLimited)42A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resista	IRF International Rectifier	IRF
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AUIRFR2607Z	文件：4.07373 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2607Z	文件：677.56 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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