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XRS80N10

100V N-Ch MOSFET

XNRUSEMI

新锐半导体

80N10

N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:974.83 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

80N10L

N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:1.92016 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

BR80N10

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:1.06093 Mbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

技术参数

  • Package Type:

    TO252

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET Type:

    N

  • VDS(V):

    100

  • VGS(V):

    ±20

  • Vth typ.(V):

    1.8

  • RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V:

    6.5

  • RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V:

    7.8

  • ID (A):

    80

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
TO252-2L
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更多XRS80N10供应商 更新时间2026-1-25 14:01:00