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B60N10	文件：713.52 Kbytes Page：10 Pages	60A100VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
B60N10	文件：714.67 Kbytes Page：10 Pages	60A100VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
B60N10	文件：714.31 Kbytes Page：10 Pages	60A100VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
B60N10	文件：719.21 Kbytes Page：10 Pages	60A100VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
CEB60N10	文件：97.78 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor URES ■100V,60A,RDS(ON)=23.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB60N10	文件：519.679 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,57A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP60N10	文件：97.78 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor URES ■100V,60A,RDS(ON)=23.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP60N10	文件：1.22981 Mbytes Page：5 Pages	60A,100VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply.Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220C	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
CEP60N10	文件：1.17058 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEP60N10	文件：519.679 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,57A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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技术参数

Package Type：
PDFN5*6
Configuration：
Single
MOSFET Type：
N
VDS(V)：
100
VGS(V)：
±20
Vth typ.(V)：
1.8
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V：
8.5
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V：
11
ID (A)：
60

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	XRS60P06	NK/南科功率	2025+	TO252-2L	986966	国产	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	XRS610BBGZ	ADI		BGA	3200	原装长期供货!	询价
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