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FDD6670	文件：195.65 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6670	文件：458.59 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features ·RDS(ON)=8mW（VGS=10V） ·RDS(ON)=10mW（VGS=4.5V） ·Lowgatecharge ·FastSwitching ·Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ·VDS(V)=-30V	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDD6670A	文件：110.7 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6670A	文件：195.65 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6670A	文件：351.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=66A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6670A	文件：458.59 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features ·RDS(ON)=8mW（VGS=10V） ·RDS(ON)=10mW（VGS=4.5V） ·Lowgatecharge ·FastSwitching ·Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ·VDS(V)=-30V	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDD6670A	文件：1.0348 Mbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD6670AL	文件：149.12 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6670AL	文件：351.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=84A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6670AL	文件：986.81 Kbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

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产品属性

产品编号：
XRP6670EVB
制造商：
MaxLinear, Inc.
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
包装：
散装
主要用途：
DC/DC，步降
输出和类型：
1，非隔离
电压 - 输出：
3.3V
电流 - 输出：
3A
电压 - 输入：
2.6V ~ 5.5V
稳压器拓扑：
降压
频率 - 开关：
1MHz
板类型：
完全填充
所含物品：
板
使用的 IC/零件：
XRP6670
描述：
BOARD EVAL FOR XRP6670

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市艾宇欣科技有限公司	XRP6670EVB	Exar	2020+	N/A	2	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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