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XR110P03F	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V P-Ch MOSFET;	XNRUSEMIShenzhen Xinrui Semiconductor Technology Co. , Ltd. 新锐半导体深圳市新锐半导体科技有限公司	XNRUSEMI
CEB110P03	文件：652.69 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-105.5A,RDS(ON)=5.8mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=8.5mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED110P03	文件：643.31 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-92A,RDS(ON)=6.0mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.0mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP110P03	文件：652.69 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-105.5A,RDS(ON)=5.8mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=8.5mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP110P03	文件：406.74 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-105.5A,RDS(ON)=5.8mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU110P03	文件：643.31 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-92A,RDS(ON)=6.0mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.0mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
TF110P03M	文件：2.62205 Mbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF110P03McombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackage toprovideextremelylowRDS(ON). ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss LowGateChargeforfastswitchingLowThermalresistan	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TF110P03N	文件：2.83123 Mbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF110P03NcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackage toprovideextremelylowRDS(ON). ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss LowGateChargeforfastswitchingLowThermalresistan	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG

技术参数

Package Type：
PDFN5*6
Configuration：
Single
MOSFET Type：
P
VDS(V)：
-30
VGS(V)：
±20
Vth typ.(V)：
-1.5
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V：
2.5
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V：
4
ID (A)：
-100

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	XR110P03F	NK/南科功率	2025+	PDFN5060-8L	986966	国产	询价
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