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XR10N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Ch MOSFET	XNRUSEMI 新锐半导体	XNRUSEMI
XR10N06Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Ch MOSFET	XNRUSEMI 新锐半导体	XNRUSEMI
XR10N06S	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Ch MOSFET	XNRUSEMI 新锐半导体	XNRUSEMI
ADM10N06S	文件：466.81 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS techno 文件：466.81 Kbytes 页数：5 Pages	ADV 爱德微	ADV
EMD10N06A	文件：224.35 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：224.35 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD10N06E	文件：230.25 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 10mΩ ID 100A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：230.25 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

更多XR10N06供应商更新时间2026-2-1 14:01:00