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XR100P04	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V P-Ch MOSFET;	XNRUSEMIShenzhen Xinrui Semiconductor Technology Co. , Ltd. 新锐半导体深圳市新锐半导体科技有限公司	XNRUSEMI
XR100P04F	文件：300 bytes Page：1 Pages	XR-P-MOSFETS;	XNRUSEMIShenzhen Xinrui Semiconductor Technology Co. , Ltd. 新锐半导体深圳市新锐半导体科技有限公司	XNRUSEMI
G100P04KA	文件：1.04519 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG100P04KAusesadvancedtrenchtechnologytoprovid eexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G100P04KH	文件：652.48 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG100P04KHusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
NP100P04PDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100P04PDG	文件：190.95 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP100P04PLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100P04PLG	文件：191.11 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(D	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PJD100P04	文件：628.8 Kbytes Page：6 Pages	40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD100P04-AU	文件：661.53 Kbytes Page：6 Pages	40VP-ChannelEnhancementModeMosfet Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

技术参数

Package Type：
TO252
Configuration：
Single
MOSFET Type：
P
VDS(V)：
-40
VGS(V)：
±20
Vth typ.(V)：
1.7
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V：
4.3
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V：
5.9
ID (A)：
80

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昊创电子有限公司	XR1010CD	EXAR/艾科嘉	1627+	SOP20	2560	代理品牌	询价
深圳市一线半导体有限公司	XR1010CN	EXAR	24+	DIP-20	19		询价
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深圳市能元时代电子有限公司	XR1011-BD	MACOM	23+	NA	25000	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
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深圳市福田区亿兴成电子商行	XR1011-QH	M/A-COM		QFN	6698		询价

更多XR100P04供应商更新时间2025-7-28 13:52:00

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