XNT30N60T中文资料IGBT单管数据手册Xiner规格书
XNT30N60T规格书详情
描述 Description
芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术（Trench + FS），合理优化了器件电流密度 ，获得了最佳的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff）平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余，电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。
特性 Features
• 低饱和导通压降；
• 高短路电流耐量；
• 高的输入阻抗；
• 正向温度系数，适合并联使用。
应用 Application
• 变频器
• 不间断电源
• 储能
• 电源开关
• 电饭煲
• 风扇
• 微波炉
• 太阳能
• 伺服电机
技术参数
- 制造商编号
：XNT30N60T
- 生产厂家
：Xiner
- Build-in
：Yes
- Vce(max)
：600
- Ic(max)
：30
- Icpuls(max)
：90
- Short-Circuit(uS)
：5
- Tvj
：-40~+ 175
- VGE(th)(typ)
：5
- VCE(sat)(typ)
：1.7
- Vf
：1.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
ST |
24+ |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | |||
STM |
23+ |
Evaluation Board |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST |
23+ |
开发板 |
10000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
24+ |
开发板 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST |
24+ |
SMD |
17900 |
光学传感器开发工具? |
询价 | ||
XINER/芯能 |
23+ |
TO-220 |
7500 |
芯能全系列在售,终端可出样品 |
询价 | ||
ST |
26+ |
NA |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
ST |
21+ |
开发板 |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ST |
2021+ |
开发板 |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 |
