XNS80N65T数据手册Xiner中文资料规格书
XNS80N65T规格书详情
描述 Description
芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术（Trench + FS），合理优化了器件电流密度 ，获得了最佳的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff）平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余，电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。
特性 Features
• 低饱和导通压降；
• 低开关损耗；
• 高短路电流耐量；
• 高的参数一致性；
• 高的输入阻抗；
• 正向温度系数，适合并联使用。
应用 Application
• 变频器
• 冰箱
• 不间断电源
• 充电桩
• 储能
• 电磁感应加热
• 电源开关
• 电动大巴
• 电饭煲
• 电焊机
• 风扇
• 空调
• 微波炉
• 洗衣机
• 太阳能
• 小家电
• 伺服电机
技术参数
- 制造商编号
：XNS80N65T
- 生产厂家
：Xiner
- Build-in
：Yes
- Vce(max)
：650
- Ic(max)
：80
- Icpuls(max)
：300
- Short-Circuit(uS)
：NO
- Tvj
：-40~+ 175
- VGE(th)(typ)
：5.2
- VCE(sat)(typ)
：1.5
- Vf
：1.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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ST |
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ST |
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ST |
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