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XNT15N60T中文资料IGBT单管数据手册Xiner规格书

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厂商型号

XNT15N60T

功能描述

IGBT单管

制造商

Xiner ShenZhen Invsemi Technology Co.,Ltd

中文名称

芯能半导体 深圳芯能半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 16:11:00

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XNT15N60T规格书详情

描述 Description

芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术(Trench + FS),合理优化了器件电流密度 ,获得了最佳的饱和导通压降(Vce(sat))和关断损耗(Eoff)平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余,电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。

特性 Features

• 低饱和导通压降;
• 低开关损耗;
• 高短路电流耐量;
• 高的参数一致性;
• 高的输入阻抗;
• 正向温度系数,适合并联使用。

应用 Application

• 变频器
• 冰箱
• 不间断电源
• 充电桩
• 储能
• 电磁感应加热
• 电源开关
• 电动大巴
• 电饭煲
• 电焊机
• 风扇
• 空调
• 微波炉
• 洗衣机
• 太阳能
• 小家电
• 伺服电机

技术参数

  • 制造商编号

    :XNT15N60T

  • 生产厂家

    :Xiner

  • Build-in Diode

    :Yes

  • Vce(max)@25℃

    :600

  • Ic(max)@25℃

    :30

  • Ic(max)@100℃

    :15

  • Icpuls(max)

    :45

  • Short-Circuit(uS)

    :10

  • PD(max)@25℃

    :101

  • VGE(max)

    :6.5

  • VGE(th)(typ)

    :5.2

  • VCE(sat)(typ)(Vge=15V)

    :1.9

  • VCE(sat)(max)(Vge=15V)

    :2.3

  • Vf(Typ)

    :1.9

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