IGBT单管

芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术（Trench + FS），合理优化了器件电流密度 ，获得了最佳的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff）平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余，电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。 • 低饱和导通压降；\n• 高短路电流耐量；\n• 高的输入阻抗；\n• 正向温度系数，适合并联使用。\n;

Xiner

芯能半导体

650 V, 30 A Field Stop IGBT

文件：337.82 Kbytes 页数：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

Trench and Field Stop IGBT 650V 30A

Features • High Speed Smooth Switching Device for Hard and Soft Switching • Vce(sat) with Positive Temperature Coefficient • High Ruggedness, Good Thermal Stability • Very Tight Parameter Distribution • Halogen Free. “Green” Device (Note 1) • Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Lead

文件：1.18549 Mbytes 页数：6 Pages

MCC

Trench and Field Stop IGBT 650V 30A

Features • High Speed Smooth Switching Device for Hard and Soft Switching • Vce(sat) with Positive Temperature Coefficient • High Ruggedness, Good Thermal Stability • Very Tight Parameter Distribution • Halogen Free. “Green” Device (Note 1) • Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Lead

文件：1.18549 Mbytes 页数：6 Pages

MCC