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20N60	文件：176.25 Kbytes Page：3 Pages	20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
20N60	文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
20N60	文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N60A	文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages	20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
20N60B	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
20N60CFD	文件：50.2 Kbytes Page：1 Pages	HITACHIEncapsulation,DIP16	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
20N60CFD	文件：471.68 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
20N60CFD	文件：654.59 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
20N60CFD	文件：293.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Periodicavalancherated •Qualifiedforindustrialgradeapplicationsaccording	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
AFGB20N60SFD	文件：166.78 Kbytes Page：9 Pages	Usingnovelfield−stopIGBTtechnology Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A •HighInputImpedance •FastSwitching •AEC−Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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