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IRF720	文件：164.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs(on) •VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF720	文件：554.36 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL 400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistor. FEATURES: ■RepetitiveAvalancheRatings ■Dynamicdv/dtRatings ■SimpleDriveRequirement ■EaseofParalleling	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF720	文件：273.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowerRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperationarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF720A	文件：227.56 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET(400V,1.8ohm,3.3A) AdvancedPowerMOSFET(400V,1.8ohm,3.3A) FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=400V ♦LowerRDS(ON):1.408Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
XLM720	文件：288.31 Kbytes Page：12 Pages	IDTXOLVPECLCrystalOscillator	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
XLN720	文件：288.31 Kbytes Page：12 Pages	IDTXOLVPECLCrystalOscillator	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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更多XLL720供应商更新时间2024-6-13 10:18:00

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