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32N50Q	文件：92.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IRFP32N50K	文件：272.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRFP32N50KPBF	文件：189.83 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=500V,RDS(on)typ.=0.135廓,ID=32A) SMPSMOSFET Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Lead-Free Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynam	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IXFH32N50	文件：110.19 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeHighdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect •Fastintrin	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH32N50	文件：337.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXFH32N50Q	文件：568.74 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET??PowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Moldingepox	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFJ32N50Q	文件：90.21 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Highdv/dt,Lowtrr,HDMOS™Family Features •Lowprofile,highpowerpackage •Longcreepandstrikedistances •Easyup-gradepathforTO-220 designs •LowRDS(on)lowQgprocess •Ruggedpolysilicongatecel	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFJ32N50Q	文件：362.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK32N50	文件：328.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK32N50Q	文件：580.16 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features ●IXYSadvancedlowQgprocess ●Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Moldingepox	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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