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32N50Q	文件：92.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IRFBA32N50K	文件：44.55 Kbytes Page：3 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFP32N50	文件：94.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)typ.=0.135ohm,Id=32A) SMPSMOSFET Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRugg	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRFP32N50K	文件：178.89 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFP32N50K	文件：150.49 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFP32N50K	文件：183.4 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFP32N50K	文件：272.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFP32N50K	文件：205.96 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFP32N50KPBF	文件：205.96 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFP32N50KPBF	文件：150.49 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFP32N50KPBF	文件：189.83 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=500V,RDS(on)typ.=0.135廓,ID=32A) SMPSMOSFET Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Lead-Free Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynam	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IXFH32N50	文件：110.19 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeHighdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect •Fastintrin	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFH32N50	文件：337.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFH32N50Q	文件：337.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFH32N50Q	文件：568.74 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET??PowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Moldingepox	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFJ32N50Q	文件：90.21 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Highdv/dt,Lowtrr,HDMOS™Family Features •Lowprofile,highpowerpackage •Longcreepandstrikedistances •Easyup-gradepathforTO-220 designs •LowRDS(on)lowQgprocess •Ruggedpolysilicongatecel	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFJ32N50Q	文件：362.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFK32N50	文件：328.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFK32N50Q	文件：580.16 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features ●IXYSadvancedlowQgprocess ●Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Moldingepox	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

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详细参数

型号：
32N50Q
制造商：
IXYS
制造商全称：
IXYS Corporation
功能描述：
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多32N50Q供应商更新时间2024-4-28 9:00:00

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