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EP9133	文件：30.36 Kbytes Page：1 Pages	SMD28PinPassiveDelayLines SMD28PinPassiveDelayLines	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
FP9133	文件：82.16 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
G9133	文件：232.56 Kbytes Page：8 Pages	3.3V1ALowDropoutRegulatorwithDisable GeneralDescription TheG9133positive3.3Vvoltageregulatorfeaturestheabilitytosource1Aofoutputcurrent.Thedropoutvoltageis0.5Vat1Aoutputcurrent.Thetypicalquiescentcurrentis5mA.Furthermore,thequiescentcurrentissmallerwhentheregulatorisinthedropoutmode(VIN	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
ICS9133X	文件：144.55 Kbytes Page：8 Pages	32kHzMotherboardFrequencyGenerator GeneralDescription TheICS9133Xisdesignedtogenerateclocksforall286,386,486,PentiumandRISC-basedmotherboards,includinglaptopsandnotebookcomputers.Theonlyexternalcomponentsrequiredarea32.768kHzcrystalanddecouplingcapacitors. Features •Single32.768kHzcrystalgen	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
IRF9133	文件：270.41 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9133	文件：290.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9133	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFF9133	文件：687.87 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs -5.5Aand-6.5A,-60Vand-100VrDS(on)=0.30Ωand0.40Ω TheIRFF9130,IRFF9131,IRFF9132andIRFF9133areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearep-channelenhancement-modesilicon-gat	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9133	文件：313.93 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP9133	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

详细参数

型号：
XC9133
功能描述：
IC REG BOOST ADJ 0.26A SOT25
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器
系列：
-
标准包装：
500
类型：
切换式电容器（充电泵），反相
输出类型：
固定
输出数：
1
输出电压：
-3V
输入电压：
2.3 V ~ 5.5 V PWM
型：
Burst Mode? 频率 -
开关：
900kHz 电流 -
输出：
100mA
同步整流器：
无
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
包装：
带卷(TR)
供应商设备封装：
TSOT-23-6
其它名称：
LTC1983ES6-3#TRMTR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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