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ICS9133X	文件：144.55 Kbytes Page：8 Pages	32 kHz Motherboard Frequency Generator GeneralDescription TheICS9133Xisdesignedtogenerateclocksforall286,386,486,PentiumandRISC-basedmotherboards,includinglaptopsandnotebookcomputers.Theonlyexternalcomponentsrequiredarea32.768kHzcrystalanddecouplingcapacitors. Features •Single32.768kHzcrystalgen	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
ICS9133X-01CW20	文件：144.55 Kbytes Page：8 Pages	32 kHz Motherboard Frequency Generator GeneralDescription TheICS9133Xisdesignedtogenerateclocksforall286,386,486,PentiumandRISC-basedmotherboards,includinglaptopsandnotebookcomputers.Theonlyexternalcomponentsrequiredarea32.768kHzcrystalanddecouplingcapacitors. Features •Single32.768kHzcrystalgen	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
IRF9133	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9133	文件：290.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9133	文件：270.41 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFF9133	文件：687.87 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs -5.5Aand-6.5A,-60Vand-100VrDS(on)=0.30Ωand0.40Ω TheIRFF9130,IRFF9131,IRFF9132andIRFF9133areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearep-channelenhancement-modesilicon-gat	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9133	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP9133	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP9133	文件：271.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP9133	文件：313.93 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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