IRFP9133中文资料三星数据手册PDF规格书
IRFP9133规格书详情
FEATURES
• Low RDS(on)
• Improved inductive ruggedness
• Fsat switching times
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high temperature reliability
产品属性
- 型号：
IRFP9133
- 制造商：
SAMSUNG
- 制造商全称：
Samsung semiconductor
- 功能描述：
P-CHANNEL POWER MOSFETS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
英特锡尔 |
24+ |
NA/ |
3600 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
TO3P |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247AC |
19526 |
询价 | |||
IR |
2023+ |
TO-3P |
4000 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
TO-247AC |
19889 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
询价 | ||
IR |
0342+ |
TO-3P |
4425 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
N/A |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO3P |
36133 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
HARRIS |
24+ |
TO-3P |
77 |
询价 | |||
IR |
2003 |
14 |
公司优势库存 热卖中!! |
询价 |
