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BAV170	文件：111.86 Kbytes Page：3 Pages	DUALSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV170	文件：106.06 Kbytes Page：3 Pages	DUALSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •PPAPCapable(Note	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV170	文件：188.99 Kbytes Page：4 Pages	Low-leakagedoublediode FEATURES ●PlasticSMDpackage ●Lowleakagecurrent:typ.3pA ●Switchingtime:typ.0.8us ●Continuousreversevoltage:max.75V ●Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA APPLICATIONS ●Low-leakagecurrentapplicationsinsurfacemountedci	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV170	文件：454.38 Kbytes Page：4 Pages	SiliconLowLeakageDiodeArray SiliconLowLeakageDiodeArray •Low-leakageapplications •Mediumspeedswitchingtimes •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAV170	文件：44.28 Kbytes Page：2 Pages	IntroducingVeryLowLeakageSOT-23Diodes: Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •LeadHalogenandAntimonyFree,RoHSCompliantGreenDevice(Notes1and2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV170	文件：98.24 Kbytes Page：4 Pages	SiliconLowLeakageDiodeArray(LowleakageapplicationsMediumspeedswitchingtimesCommoncathode) ●Lowleakageapplications ●Mediumspeedswitchingtimes ●Commoncathode	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BAV170	文件：53.29 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagedoublediode DESCRIPTION Epitaxial,medium-speedswitching,doublediodeinasmallSOT23plasticSMDpackage.Thediodesareincommoncathodeconfiguration. FEATURES •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8µs •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitiv	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAV170	文件：869.8 Kbytes Page：1 Pages	LowLeakageCurrent SwitchingDiode FEATURES ●LowLeakageCurrent ●HighSwitchingSpeed APPLICATION ●Low-leakageCurrentApplicationsinSurfaceMountedCircuits	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BAV170	文件：272.56 Kbytes Page：4 Pages	Low-leakagedoublediode	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAV170	文件：194.85 Kbytes Page：4 Pages	ThreeTerminalsSMDLowLeakageSwitchingDiode	TAITRON TAITRON	TAITRON
BAV170	文件：228.88 Kbytes Page：3 Pages	Low-leakageDoubleDiode Features ◇PlasticSMDpackage ◇Lowleakagecurrent:typ.3pA ◇Switchingtime:typ.0.8ms ◇Continuousreversevoltage:max.75V ◇Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ◇Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA. Applications ◇Low-leakagecurrentapplicationsinsurfacemounted	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAV170	文件：2.32755 Mbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode SwitchingDiode FEATURES ●LowLeakageCurrent ●HighSwitchingSpeed APPLICATION ●Low-leakageCurrentApplicationsinSurfaceMountedCircuits	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BAV170	文件：129.169 Kbytes Page：4 Pages	Low-leakagedoublediode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV170	文件：2.41971 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SwitchingDiodes Features ●LowLeakageCurrent ●HighSwitchingSpeed Applications ●Low-leakageCurrentApplications inSurfaceMountedCircuits	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
BAV170	文件：164.37 Kbytes Page：4 Pages	Low-leakagedoublediode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV170	文件：290.62 Kbytes Page：4 Pages	DUALSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV170	文件：1.64113 Mbytes Page：3 Pages	Low-leakageDoubleDiode	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAV170	文件：744.57 Kbytes Page：3 Pages	LowLeakageCurrent FEATURES ●LowLeakageCurrent ●HighSwitchingSpeed APPLICATION ●Low-leakageCurrentApplications inSurfaceMountedCircuits	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
BAV170	文件：651.85 Kbytes Page：9 Pages	Low-leakagedoublediode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,doublediodeinasmallSOT23plasticSMDpackage.The diodesareincommoncathodeconfiguration. 2.Featuresandbenefits •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8us •Continuousreversev	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV170	文件：1.72739 Mbytes Page：3 Pages	Small-SignalFastSwitchingDiodes Features VR100V lfavsinglediodeloaded215mA doublediodeloaded125mA	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE

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产品属性

产品编号：
XBB170
制造商：
IXYS Integrated Circuits Division
类别：
继电器 > 固态继电器
系列：
XBB, OptoMOS®
包装：
卷带（TR）
安装类型：
通孔
电路：
SPST-NC（1 Form B）x 2
输出类型：
AC，DC
电压 - 输入：
1.2VDC
端接样式：
PC 引脚
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-DIP
描述：
SSR RELAY SPST-NC 100MA 0-350V

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