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BAS170W	文件：96.04 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSchottkyDiode(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclamping) SiliconSchottkyDiode ●General-purposediodesforhigh-speedswitching ●Circuitprotection ●Voltageclamping ●High-leveldetectingandmixing ●SmallpackageSOD-323	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BAS170W	文件：553.37 Kbytes Page：12 Pages	SiliconSchottkyDiode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAS170W	文件：271.56 Kbytes Page：23 Pages	SiliconSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAS170W	文件：46.76 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSchottkyDiode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAS170WS	文件：38.65 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyDiodes Features ●Schottkydiodeforhigh-speedswitching ●Circuitprotection ●Voltageclamping ●High-leveldetectingandmixing	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS170WS	文件：70.33 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyDiodes FEATURES •Schottkydiodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •AEC-Q101qualifiedavailable •BaseP/N-E3-RoHS-compliant,commercialgrade •BaseP/N-HE3-RoHS-compliant,AEC-Q101qualified •Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS170WS	文件：85.88 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSchottkyDiode FEATURES •Schottkydiodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •AEC-Q101qualifiedavailable •BaseP/N-E3-RoHS-compliant,commercialgrade •BaseP/N-HE3-RoHS-compliant,AEC-Q101qualified •Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS170WS-G	文件：76.92 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSchottkyDiode FEATURES •Schottkydiodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •AEC-Q101qualifiedavailable (partnumberonrequest) •BaseP/N-G3-green,commercialgrade •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS170WS-G	文件：75.19 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSchottkyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS170WS-V	文件：59.33 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSchottkyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS170WS-V	文件：84.26 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS170WS-V	文件：126.36 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiode Features •Schottkydiodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAV170	文件：96.26 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltPOWER250mWatt FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective MECHANICALDATA •Case:SOT-23p	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV170	文件：349.46 Kbytes Page：3 Pages	DUALSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV170	文件：62.85 Kbytes Page：12 Pages	Low-leakagedoublediode	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAV170	文件：183.57 Kbytes Page：3 Pages	250mWLowLeakageDiode85Volts Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion •VeryLowLeakageCurrent •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAV170	文件：142.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV170	文件：39.61 Kbytes Page：2 Pages	Low-leakagedoublediode Features ●PlasticSMDpackage ●Lowleakagecurrent:typ.3pA ●Switchingtime:typ.0.8s ●Continuousreversevoltage:max.75V ●Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAV170	文件：3.27233 Mbytes Page：3 Pages	Low-leakageDoubleDiode FEATURES ●Lowleakagecurrent:typ.3pA ●Switchingtime:typ.0.8µs ●Continuousreversevoltage:max.75V ●Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BAV170	文件：73.9 Kbytes Page：6 Pages	SiliconLowLeakageDiodeArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
XBB170
制造商：
IXYS Integrated Circuits Division
类别：
继电器 > 固态继电器
系列：
XBB, OptoMOS®
包装：
卷带（TR）
安装类型：
通孔
电路：
SPST-NC（1 Form B）x 2
输出类型：
AC，DC
电压 - 输入：
1.2VDC
端接样式：
PC 引脚
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-DIP
描述：
SSR RELAY SPST-NC 100MA 0-350V

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更多XBB170供应商更新时间2024-5-29 17:15:00

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