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X8	文件：282.79 Kbytes Page：15 Pages	型号：2N7002PW；Package：SC-70；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
X8	文件：482.77 Kbytes Page：16 Pages	型号：BD46342；Package：SSOP5；Counter Timer Built-in CMOS Voltage Detector IC Package SSOP5 is similar to SOT-23-5 (JEDEC) VOLTAGEDETECTORICwithcountertimer BD45XXXGandBD46XXXGareseriesofhigh-accuracydetectionvoltageandlowcurrentconsumptionVOLTAGEDETECTORICsadoptingCMOSprocess.Newlineupof156typeswithdelaytimecircuithavedeveloped.DelaytimeisfixedintheICduetothebuilt-inco	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
X8	文件：218.05 Kbytes Page：6 Pages	型号：BD46342G；Package：SSOP5；Voltage Detector IC built in Delay Circuit VOLTAGEDETECTORICwithcountertimer BD45XXXGandBD46XXXGareseriesofhigh-accuracydetectionvoltageandlowcurrentconsumptionVOLTAGEDETECTORICsadoptingCMOSprocess.Newlineupof156typeswithdelaytimecircuithavedeveloped.DelaytimeisfixedintheICduetothebuilt-incoun	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
X8	文件：469.07 Kbytes Page：4 Pages	型号：BD46342G；Package：SSOP5；VOLTAGE DETECTOR IC VOLTAGEDETECTORICwithcountertimer BD45XXXGandBD46XXXGareseriesofhigh-accuracydetectionvoltageandlowcurrentconsumptionVOLTAGEDETECTORICsadoptingCMOSprocess.Newlineupof156typeswithdelaytimecircuithavedeveloped.DelaytimeisfixedintheICduetothebuilt-inco	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
X8	文件：690.03 Kbytes Page：4 Pages	型号：BZX84C6V8；Package：SOT-23；Silicon Planar Zener Diodes ■SiliconPlanarZenerDiodes ThisseriesofZenerdiodesisofferedintheconvenient,surfacemountplasticSOT-23package.Thesedevicesaredesignedtoprovidevoltageregulationwithminimumspacerequirement.Theyarewellsuitedforapplicationssuchascellularphones,handheldportables	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
X8	文件：66.69 Kbytes Page：3 Pages	型号：IMX8；Package：SMT6；General purpose (dual transistors) Features 1)Two2SC3906KchipsinanSMTpackage. 2)Highbreakdownvoltage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
X8	文件：267.54 Kbytes Page：12 Pages	型号：MM3Z2V4T1G；Package：SC-76；Voltage regulator diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaverysmallSOD323(SC-76)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Non-repetitivepeakreversepowerdisspation:≤40W •Totalpowerdissipation:≤300mW •Toleranceseries:Approximately±5 •Wid	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
X8	文件：213.4 Kbytes Page：3 Pages	型号：MM5Z24；Package：SOD-549；Zener Diode Features ●Highreliability ●ZenerVoltage2.0V~75V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
X8	文件：231 Kbytes Page：15 Pages	型号：PZU2.4A；Package：SC-76；Single Zener diod 1.1Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD323(SC-76)verysmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 1.2Features 1.3Applications nGeneralregulationfunctions nNon-repetitivepeakreversepower dissipation:PZSM£40W nLowreversecurrentIRrange nTota	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
X8	文件：281.65 Kbytes Page：12 Pages	型号：PZU2.4A-Q；Package：SC-76；Single Zener diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD323(SC-76)verysmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Non-repetitivepeakreversepowerdissipation:PZSM≤40W •Totalpowerdissipation:Ptot≤320mW •Toleranceseries: •B:approxim	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
X8
功能描述：
MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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