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| 丝印:X7HV;Package:SOT-23;P-Channel Enhancement MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -4.2 A RDS(ON) 文件:1.77435 Mbytes 页数:5 Pages | UMW 友台半导体 | UMW | 
详细参数
- 型号:X7HV 
- 功能描述:MOSFET P-CH -30V -4.3A SOT23 
- RoHS:是 
- 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 
- 系列:- 
- 标准包装:1,000 
- 系列:MESH OVERLAY™ FET 
- 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 
- 特点:逻辑电平门 
- 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° 
- C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° 
- C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 
- Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ 
- Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ 
- Vds:1560pF @ 25V 功率 - 
- 最大:40W 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:TO-220-3 整包 
- 供应商设备封装:TO-220FP 
- 包装:管件 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
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            更新时间2025-10-31 14:08:00
        
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