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AO3407A	文件：115.43 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3407A/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO3407A and AO3407AL are electrically identical. -RoHS Compliant -AO3407AL is Halogen Free Features 文件：115.43 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3407A	文件：2.32286 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-4.3 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.32286 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3407A	文件：1.77435 Mbytes Page：5 Pages	丝印：X7HV；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -4.2 A RDS(ON) 文件：1.77435 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3407A	文件：1.98688 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -4.1 A RDS(ON) 文件：1.98688 Mbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO3407A	文件：489.85 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：489.85 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3407A-HF	文件：2.5151 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-4.3 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.5151 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3407A_11	文件：489.85 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：489.85 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3407A-3	文件：2.31527 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：2.31527 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3407A-HF-3	文件：2.54032 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：2.54032 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3407A	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	ElecSuper 静芯微	ElecSuper

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
48
4.5V：
78
ID @ 25°C (A)：
-4.30
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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更多AO3407A供应商更新时间2025-10-9 15:13:00

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