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NTE0303MC	文件：224.82 Kbytes Page：6 Pages	Isolated1WSingleOutputSMDC/DCConverters	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
NTE0303MC	文件：221.12 Kbytes Page：6 Pages	Isolated1WSingleOutputSMDC/DCConverters	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
NTE0303MC	文件：237 Kbytes Page：8 Pages	Isolated1WSingleOutputSMDC-DCConverters RoHScompliant Leadframetechnology Singleisolatedoutput 1kVDCisolation Efficiencyupto78 Powerdensity1.8W/cm3 Widetemperatureperformanceatfull 1Wattload,–40°Cto85°C UL94V-0Packagematerial Footprintoverpins1.37cm2 3.3V,5V&12Vinputs 3.3V,5V,9V,12V&15Voutp	MURATA-PSMurata Power Solutions Inc. 村田村田制作所	MURATA-PS
NTE0303MC	文件：221.12 Kbytes Page：6 Pages	Isolated1WSingleOutputSMDC/DCConverters	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
NTE0303XMC	文件：972.54 Kbytes Page：6 Pages	1W,FIXEDINPUT,ISOLATEDSINGLEOUTPUTSMDDC-DCCONVERTER	MICRODCMicrodc power Technology Co., Ltd 泰辰（深圳）电气泰辰（深圳）电气有限公司	MICRODC
P0303BV	文件：376.33 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
QB0303XLS	文件：411.21 Kbytes Page：2 Pages	0.25W,FIXEDINPUT,ISOLATED&UNREGULATEDDUAL/SINGLEOUTPUTDC-DCCONVERTER	MICRODCMicrodc power Technology Co., Ltd 泰辰（深圳）电气泰辰（深圳）电气有限公司	MICRODC
QB0303XT	文件：559.89 Kbytes Page：3 Pages	0.25W,FixedInput,IsolatedDual/SingleOutputSMDDC-DCCONVERTER	MICRODCMicrodc power Technology Co., Ltd 泰辰（深圳）电气泰辰（深圳）电气有限公司	MICRODC
RB0303XLS	文件：660.6 Kbytes Page：4 Pages	Isolated0.5WSingleOutputDC/DCConverters	MICRODCMicrodc power Technology Co., Ltd 泰辰（深圳）电气泰辰（深圳）电气有限公司	MICRODC
RJK0303DPB	文件：123.9 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKR0303AKJ	文件：60.02 Kbytes Page：6 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforRectifying Features •Lowforwardvoltagedropandsuitableforhighefficiencyrectifying. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKR0303AKJP	文件：60.02 Kbytes Page：6 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforRectifying Features •Lowforwardvoltagedropandsuitableforhighefficiencyrectifying. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKR0303AKJR	文件：60.02 Kbytes Page：6 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforRectifying Features •Lowforwardvoltagedropandsuitableforhighefficiencyrectifying. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKR0303BKJ	文件：199.35 Kbytes Page：8 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforRectifying Features •Lowreversecurrentdropandsuitableforhighefficiencyrectifying. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQJ0303PGDQA	文件：90.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSFETPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=54mΩtyp(VGS=–10V,ID=–1.6A) •Lowdrivecurrent •Highspeedswitching •4.5Vgatedrive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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RQJ0303PGDQATL-E	文件：1.04731 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RQJ0303PGDQATL-E	文件：90.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSFETPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=54mΩtyp(VGS=–10V,ID=–1.6A) •Lowdrivecurrent •Highspeedswitching •4.5Vgatedrive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQJ0303PGDQATL-H	文件：105.05 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQK0303MGDQA	文件：91.22 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多X0303BG供应商更新时间2024-6-19 8:00:00

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