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RJK0303DPB	文件：123.9 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK0303DPB-00-J0	文件：123.9 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKR0303AKJ	文件：60.02 Kbytes Page：6 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforRectifying Features •Lowforwardvoltagedropandsuitableforhighefficiencyrectifying. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKR0303AKJP	文件：60.02 Kbytes Page：6 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforRectifying Features •Lowforwardvoltagedropandsuitableforhighefficiencyrectifying. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKR0303AKJR	文件：60.02 Kbytes Page：6 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforRectifying Features •Lowforwardvoltagedropandsuitableforhighefficiencyrectifying. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKR0303BKJ	文件：199.35 Kbytes Page：8 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforRectifying Features •Lowreversecurrentdropandsuitableforhighefficiencyrectifying. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQJ0303PGDQA	文件：105.05 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQJ0303PGDQA	文件：90.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSFETPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=54mΩtyp(VGS=–10V,ID=–1.6A) •Lowdrivecurrent •Highspeedswitching •4.5Vgatedrive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQJ0303PGDQATL-E	文件：90.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSFETPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=54mΩtyp(VGS=–10V,ID=–1.6A) •Lowdrivecurrent •Highspeedswitching •4.5Vgatedrive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQJ0303PGDQATL-E	文件：1.04731 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
RJK0303DPB
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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