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APM2315AC-TUL	文件：180.04 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-4A, RDS(ON)=35mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=45mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=60mW(typ.)@VGS=-1.8V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipm	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
ASICD2315	文件：15.33 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICD2315isdesignedforbroadbandamplifierapplicationsincommercialandamateurcommunicationequipment. FEATURES: •PG=18dBmin.at75W/30MHz •IMD3=-30dBcmax.at75W(PEP) •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CD2315	文件：15.33 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICD2315isdesignedforbroadbandamplifierapplicationsincommercialandamateurcommunicationequipment. FEATURES: •PG=18dBmin.at75W/30MHz •IMD3=-30dBcmax.at75W(PEP) •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CEH2315	文件：542.76 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-5A,RDS(ON)=50mW@VGS=-10V. RDS(ON)=85mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEN2315	文件：923.36 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-4A,RDS(ON)=50mW@VGS=-10V. RDS(ON)=85mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2315	文件：754.28 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-4A,RDS(ON)=50mW@VGS=-10V. RDS(ON)=85mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CMEB2315	文件：556.51 Kbytes Page：1 Pages	MechanicalBuzzer(DC)	CANOPUSCanopus Electronics (H.K.) Ltd. 堪霖电子堪霖电子（香港）有限公司	CANOPUS
CPD2315	文件：776.52 Kbytes Page：4 Pages	InductorforDigitalAMP Features： Corematerial:Ferrite Coreandwindingloss: www.codaca.com/DesignTool_Power-Inductor-Loss-Comparison.html Environmental:RoHScompliant,halogenfree Weight:29.29g MoistureSensitivity:Level(MSL)1 (unlimitedfloorlifeat	CODACAShenzhen Codaca Electronic Co.,Ltd 科达嘉电子深圳市科达嘉电子有限公司	CODACA
CSS-2315E	文件：187.97 Kbytes Page：6 Pages	2.30InchSingleDigitDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation	CHINASEMI
CSS-2315G	文件：188.49 Kbytes Page：6 Pages	2.3InchSingleDigitDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation	CHINASEMI

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技术参数

过充检测电压VCU(V)：
4.425
过充检测电压精度(mV)：
25
过充释放电压VCL(V)：
4.225
过充检测电流IOCC(A)：
0.5
过放检测电压VDL(V)：
2.85
过放释放电压VDR(V)：
3.08
过放保护电流IOV(A)：
0.3
Rds(on)(mΩ)：
55
工作电流IQ：
~0.8~1.5uA
过放待机电流ISD：
<10nA
过放休眠/自恢复：
休眠
0V充电功能：
禁充
船运功能：
是
复位功能：
否
Status：
M/P
应用：
TWS耳机、可穿戴应用
功能：
高电平船运

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市稳先微电子有限公司	WSDF23A2N2H	WINSEMI/稳先微	25+	DFN1x1-4L	120000	原装正品现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	WSDG005060-4	PERSEMI	23+	DIP	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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更多WSDF2315NB供应商更新时间2025-7-28 15:49:00

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