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CEB6056	文件：473.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,100A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB6056L	文件：653.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,100A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=9.0mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED6056	文件：468.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,76A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED6056	文件：356.33 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,76A,RDS(ON)=6.2mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED6056L	文件：647.37 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,78A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=9.0mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM6056	文件：423.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,15A,RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM6056	文件：497.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,15A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM6056L	文件：653.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,14.5A,RDS(ON)=7.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=10mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP6056	文件：401.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,100A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP6056	文件：473.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,100A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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技术参数

输入耐压 (V)：
30
充满阈值电压 (V)：
3.7/4.2/4.35/4.4
回滞阈值电压 (V)：
0.15
涓流检测阈值电压 (V)：
2.8
充电电流是否可调：
<1.5A
充电电压是否可调：
否
充满延时：
内置
内置 OTC：
Y
外置 OTP：
Y
充饱电流：
N
0V 充电功能：
Y
充电方式：
线性
封装形式：
ESOP-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市稳先微电子有限公司	WSCE6057	WINSEMI/稳先微	25+	ESOP-8	400000	原装正品现货	询价
深圳市赛美科科技有限公司	WSC-M02P02-E	OMRON		连接器	123500	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	WSCR10C60C	WST	23+24	TO220	17723	专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC	询价
标准国际(香港)有限公司	WSCRKC572-2M	TURCK	NDC		2	公司优势库存热卖中!	询价
上海金庆电子技术有限公司	WSCWKC572-1.4M/C1126	TURCK	新		6	全新原装货期两周	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	WSD100N06GDN56	WINSOK	23+	NA	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	WSD100N06GDN56	WINSOK微硕	2407+	DFN5x6	30098	全新原装!仓库现货,大胆开价!	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	WSD100N06GDN56		24+	N/A	64000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市博中泰实业有限公司	WSD100N06GDN56	HAMOS/汉姆	24+	PDFN5060	60000	全新原装现货	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	WSD100N06GDN56	NK/南科功率	2025+	DFN5060-8	986966	国产	询价

更多WSCE6056A供应商更新时间2025-7-29 8:54:00

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