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KSM12P10	文件：1.82179 Mbytes Page：7 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD12P10	文件：1.46041 Mbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU12P10	文件：1.46041 Mbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MCU12P10	文件：477.34 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MTM12P10	文件：169.93 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTM12P10	文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM12P10	文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM12P10	文件：261.18 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP12P10	文件：190.94 Kbytes Page：6 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.3OHM PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP12P10	文件：169.93 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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技术参数

Package：
SMB
Peak Pulse Power Ppp(W)：
1000
Reverse Stand off Voltage VRWM(V)：
12
MIN VBR (Volts)@IT：
13.3
MAX VBR (Volts)@IT：
14.7
Test Current IT(mA)：
1.0
Maximum Clamping Voltage Vc@Ipp(V)：
19.9
Maximum Peak Pulse Current Ipp(A)：
50.25
Maximum Reverse Leakage IR @VRWM(μA)：
1.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	WS12P4	WAY-ON	24+	SOD123	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	WS12P4N	WAY-ON/SXSEMI	24+	DFN2020-2	900000	原装进口特价	询价
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