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CEU12P10	文件：263.94 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU12P10	文件：162.1 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-9A,RDS(ON)=315mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU12P10	文件：969.11 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-9A,RDS(ON)=315mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
FQB12P10	文件：635.79 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB12P10	文件：333.33 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.29Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD12P10	文件：624.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD12P10	文件：672.06 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD12P10	文件：1.01794 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FQD12P10	文件：2.94782 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-100V ●ID=-9.4A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FQD12P10TM	文件：672.06 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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技术参数

Package：
SMB
Peak Pulse Power Ppp(W)：
1000
Reverse Stand off Voltage VRWM(V)：
12
MIN VBR (Volts)@IT：
13.3
MAX VBR (Volts)@IT：
14.7
Test Current IT(mA)：
1.0
Maximum Clamping Voltage Vc@Ipp(V)：
19.9
Maximum Peak Pulse Current Ipp(A)：
50.25
Maximum Reverse Leakage IR @VRWM(μA)：
1.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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