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F1129MB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1129MBEVB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1129MBNELI	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
GP1129	文件：83.19 Kbytes Page：1 Pages	U.S.ELECTRICALDIVISIONMANCHESTER,NH03108	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HAT1129R	文件：2.12619 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
HTT1129E	文件：280.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor Features •Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HTT1129EZTL-E	文件：280.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor Features •Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISF1129	文件：349.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION ·AvalancheRated ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=230mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·EasytoMount ·SpaceSavings	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
LT1129	文件：193.79 Kbytes Page：12 Pages	LowDropoutNegativeMicropowerRegulatorinThinSOT	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT1129	文件：160.23 Kbytes Page：16 Pages	400mVDropoutVoltage	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER

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技术参数

VBR（V）Min：
3.7
Cj（PF）：
12(TYP) 20(MAX)
Ipp（A）：
11
Vc（V）@Ipp：
8(TYP) 10(MAX)
IR（μA）Max：
0.2
PPP（W）：
110
MPQ(pcs)：
15000
Package：
CSP0402-2L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市易讯博科技有限公司	WS1130A	Essentra	22+	NA	168	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	WS115P	IC	23+	QFP	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市佳杰伟业科技有限公司	WS12/9.5-11MC	WEIDMULLER/魏德米勒	2502+	ROHS	360	优势代理渠道原装现货可全系列订货	询价
兆亿微波(北京)科技有限公司	WS-1200100WG	Marki			206		询价
深圳市星辰微电科技有限公司	WS-1200100WG	Marki microwave	24+	N/A	4500	Marki优势渠道	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	WS120P6SMB-B	CYG	24+	SMB	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	WS12-1000-R10K-L10-SBO-D8-SD4	德国ASM	2447	N	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	WS1214-110	M	24+		365	现货供应	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	WS1214-110	M	23+	TO-59	8510	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市英瑞尔电子科技有限公司	WS1216	WS	24+	BGA	598000	原装现货假一赔十	询价

更多WS1129EW供应商更新时间2025-7-28 10:13:00

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