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ADG819BRM	文件：283.38 Kbytes Page：12 Pages	0.5nCMOS1.8Vto5.5V2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG819BRM	文件：239.79 Kbytes Page：16 Pages	0.5ohm,CMOS,1.8Vto5.5V,2:1Mux/SPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG819BRM-REEL	文件：239.79 Kbytes Page：16 Pages	0.5ohm,CMOS,1.8Vto5.5V,2:1Mux/SPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG819BRMZ	文件：239.79 Kbytes Page：16 Pages	0.5ohm,CMOS,1.8Vto5.5V,2:1Mux/SPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG819BRT	文件：195.18 Kbytes Page：12 Pages	0.5OHMCMOS1.8Vto5.5V2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG819BRT	文件：283.38 Kbytes Page：12 Pages	0.5nCMOS1.8Vto5.5V2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG819BRTZ-REEL	文件：239.79 Kbytes Page：16 Pages	0.5ohm,CMOS,1.8Vto5.5V,2:1Mux/SPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BF819	文件：56.43 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-202;SOT128Bplasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Highvoltage(max.250V). APPLICATIONS •Driverforalineoutputtransistorincolourtelevisionreceivers.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF819	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BL-L819	文件：311.93 Kbytes Page：4 Pages	8.0mmRoundTypeBI-COLORLEDLamps,with3leads	BETLUX BetLux Electronics	BETLUX

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