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ADG819BRM	文件：195.18 Kbytes Page：12 Pages	0.5 OHM CMOS 1.8 V to 5.5 V 2:1 Mux/SPDT Switches GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG819BRM	文件：283.38 Kbytes Page：12 Pages	0.5 n CMOS 1.8 V to 5.5 V 2:1 Mux/SPDT Switches GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG819BRM	文件：239.79 Kbytes Page：16 Pages	0.5 ohm, CMOS, 1.8V to 5.5V, 2:1 Mux/SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG819BRM-REEL	文件：239.79 Kbytes Page：16 Pages	0.5 ohm, CMOS, 1.8V to 5.5V, 2:1 Mux/SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG819BRMZ	文件：239.79 Kbytes Page：16 Pages	0.5 ohm, CMOS, 1.8V to 5.5V, 2:1 Mux/SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG819BRMZ-REEL7	文件：239.79 Kbytes Page：16 Pages	0.5 ohm, CMOS, 1.8V to 5.5V, 2:1 Mux/SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
819	文件：181.44 Kbytes Page：1 Pages	TERMINALSTRIP	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司
819B	文件：66.99 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features ●latHandlingSurfaceforAccuratePlacement ●tandardZenerBreakdownVoltageRange-3.3Vto68V ●owProfilePackage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
ADG819	文件：395.36 Kbytes Page：6 Pages	TapeandReelPackaging	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
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ADG819	文件：195.18 Kbytes Page：12 Pages	0.5OHMCMOS1.8Vto5.5V2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG819BCB	文件：195.18 Kbytes Page：12 Pages	0.5OHMCMOS1.8Vto5.5V2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG819BCB	文件：283.38 Kbytes Page：12 Pages	0.5nCMOS1.8Vto5.5V2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG819BCBZ-REEL	文件：239.79 Kbytes Page：16 Pages	0.5ohm,CMOS,1.8Vto5.5V,2:1Mux/SPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG819BRT	文件：283.38 Kbytes Page：12 Pages	0.5nCMOS1.8Vto5.5V2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG819BRT	文件：195.18 Kbytes Page：12 Pages	0.5OHMCMOS1.8Vto5.5V2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG819BRTZ-REEL	文件：239.79 Kbytes Page：16 Pages	0.5ohm,CMOS,1.8Vto5.5V,2:1Mux/SPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG819isamonolithic,CMOS,single-pole,double-throw(SPDT)switch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES Lowonresistance:0.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
BF819	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BF819	文件：56.43 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-202;SOT128Bplasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Highvoltage(max.250V). APPLICATIONS •Driverforalineoutputtransistorincolourtelevisionreceivers.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BL-L819	文件：311.93 Kbytes Page：4 Pages	8.0mmRoundTypeBI-COLORLEDLamps,with3leads	BETLUXBetLux Electronics BetLux电子

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详细参数

型号：
ADG819BRM
功能描述：
IC SWITCH SPDT 8MSOP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
系列：
-
标准包装：
1,000
功能：
多路复用器
电路：
1 x
4：
1
导通状态电阻：
-
电压电源：
双电源电压 -
电源，单路/双路(±)：
±5V 电流 -
电源：
7mA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
16-SOIC
包装：
带卷(TR)

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更多ADG819BRM供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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