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WNSC6D10650-A

碳化硅功率二极管

• New 6th Generation Technology\n• Low Reverse Leakage Current\n• Reduced Losses in Associated MOSFET\n• Reduced Cooling Requirements\n• AEC-Q101 qualified;

WeEn

瑞能半导体

WNSC6D10650Q

Silicon Carbide Diode

文件:442.04 Kbytes 页数:11 Pages

WEEN

瑞能半导体

WNSC6D10650

Silicon Carbide Diode

文件:442.04 Kbytes 页数:11 Pages

WEEN

瑞能半导体

技术参数

  • Package name:

    TO220-2L

  • Tj [max]:

    175

  • VRRM [max]:

    650

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
26+
N/A
64000
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TO-247-4L
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WeEn/瑞能
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TO-247-4L
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原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单
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更多WNSC6D10650-A供应商 更新时间2026-10-4 11:06:00