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WNSC2D16650CJ

碳化硅二极管

• Highly stable switching performance\n• Extremely fast reverse recovery time\n• Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives\n• Reduced losses in associated MOSFET\n• Reduced EMI\n• Reduced cooling requirements\n• RoHS compliant\n• Insulated package rated at 2500V RMS;

WeEn

瑞能半导体

WNSC2D16650CJQ

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DUAL SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI

WEEN

瑞能半导体

WNSC2D16650CW

Silicon Carbide Diode

文件:489.1 Kbytes 页数:11 Pages

WEEN

瑞能半导体

WNSC2D16650CWQ

Silicon Carbide Diode

文件:489.1 Kbytes 页数:11 Pages

WEEN

瑞能半导体

技术参数

  • Package name:

    TO3PF

  • IO(AV) [max]:

    16

  • Tj [max]:

    175

  • VRRM [max]:

    650

  • VF [typ] @ Tj = 150 °C:

    1.8

  • Qr [typ]:

    13

  • VF [typ] @ Tj = 25 °C:

    1.5

  • @ IF:

    8

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