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WML20N60C2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel SJ-MOS C2; 采用先进的超结技术和优化的设计结构，相比传统的高压VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%，有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列产品具有更好的性价比。	WayonWayon Electronics Co.,Ltd. 维安上海维安电子有限公司	Wayon
20N60C2	文件：163.38 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPB20N60C2	文件：163.38 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP20N60C2	文件：163.38 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW20N60C2	文件：122.84 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

Package：
TO-220F
VDS(V)：
600
RDS(on) (Ω)@VGS=10V(max.)：
.3
ID (A)@TA=25℃：
15
PD (W)@TA=25℃：
31
Qg (nC)：
20.3
VGS (V)：
30
VGS(th)(V) (Typ.)：
3.3
Product Status：
MP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市能元时代电子有限公司	WML20N60C2	Wayon	23+	S/N	62775	公司主营品牌长期供应原装现货可含税提供技术	询价
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深圳市铭威达电子科技有限公司	WML28N65F2				2002	原装现货	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	WML-311-292	Brady	22+		250	原装现货支持实单	询价

更多WML20N60C2供应商更新时间2025-7-28 16:28:00

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