Power MOSFET-Super Junction MOSFET 600V

采用先进的超结技术和优化的设计结构，相比传统的高压VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%，有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列产品具有更好的性价比。

Wayon

维安

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.99607 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

BIDD05N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Features 600V, 5A, Low VCE(sat) Trench-Gate Field-Stop technology Optimized for conduction Robust RoHS compliant* Applications Switch-Mode Power Supplies (SMPS) Uninterruptible Power Sources (UPS) Power Factor Correction (PFC)

文件：1.48522 Mbytes 页数：10 Pages

BOURNS

伯恩斯

N-Channel Power MOSFET

文件：823.62 Kbytes 页数：4 Pages

JIANGSU

长电科技