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WGC40680V1A中文资料Thermally Enhanced GaN Amplifier 500 W, 48 V, 3700 - 3980 MHz数据手册MACOM规格书
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描述 Description
The WGC40680 is a 500 W (P3dB) GaN-on-Silicon Carbide HEMT Amplifier designed for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features high efficiency, and a thermally enhanced package with earless flange.
特性 Features
·GaN-on-SiC HEMT Technology
·Pulsed CW Performance: 3980 MHz, 48 V, 40 μμs pulse width, 10% Duty Cycle, Combined Outputs
·Output Power @ P3dB = 500 W
·Efficiency @ P3dB = 58%
·Thermally Enhanced Package
·RoHS* Compliant
技术参数
- 制造商编号
：WGC40680V1A
- 生产厂家
：MACOM
- Min Frequency(MHz)
：3700
- Max Frequency(MHz)
：3980
- Supply Voltage(V)
：48
- PSAT Watt(W)
：500.0
- Gain(dB)
：12.4
- Efficiency
：42.5
- Test Freq(GHz)
：3.98
- Package
：TO248-8L
- PSAT(dBm)
：57
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