WGC22630中文资料Thermally Enhanced GaN Amplifier 630 W, 48 V, 2110 - 2200 MHz数据手册MACOM规格书
WGC22630规格书详情
描述 Description
The WGC22630 is a 630 W (P4dB) GaN-on-Silicon Carbide HEMT Amplifier designed for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features optimized operation from 2110 - 2200 MHz and a thermally-enhanced over-molded plastic package.
特性 Features
·GaN-on-SiC HEMT Technology
·Pulsed CW Performance: 2155 MHz, 48 V, 40 µs Pulse Width, 10% Duty Cycle, Combined Outputs
·Output Power @ P4dB = 630 W
·Efficiency @ P4dB = 68%
·RoHS* Compliant
技术参数
- 制造商编号
：WGC22630
- 生产厂家
：MACOM
- Min Frequency(MHz)
：2110
- Max Frequency(MHz)
：2200
- Supply Voltage(V)
：48
- PSAT Watt(W)
：85.0
- Gain(dB)
：16.5
- Package
：TO288-8L
- PSAT(dBm)
：49
- Package Category
：Plastic
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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