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WG50N65DHW数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
WG50N65DHW |
参数属性 | WG50N65DHW 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247 |
功能描述 | 650V绝缘栅双极型晶体管 |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | WeEn WeEn Semiconductors |
中文名称 | 瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 19:45:00 |
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WG50N65DHW规格书详情
描述 Description
High speed IGBT with anti-parallel diode in TO247 package.
特性 Features
• Fast speed with low switching losses
• Fast and soft recovery anti-parallel diode
• Positive VCE(sat) temperature coefficient
• Trench gate field-stop technology
• Halogen Free package and Pb-free lead finish, RoHS compliant
• Low thermal resistance
• Qualified according to JEDEC, Meets UL94V0 Flammability requirement
应用 Application
• Power Factor Correction
• Welding Converter
• Solar Inverter
• Industrial Inverter
• UPS
简介
WG50N65DHW属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的WG50N65DHW晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:WG50N65DHW
- 生产厂家
:WeEn
- Free Wheeling diode
:YES
- VCE(max)(V)
:650
- IC(max)@100℃(A)
:50
- IC(max)@25℃(A)
:91
- IF(max)@100℃(A)
:50
- IF(max)@25℃(A)
:100
- VCE(sat)typ.@25℃(V)
:1.65
- VF typ.@25℃(V)
:1.7
- VGE(th)Typ.(V)
:5
- Qg@25℃(nC)
:160
- Eon@25℃(mJ)
:1.7
- Eoff@25℃(mJ)
:0.6
- Qr typ. @25℃(nC)
:570
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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