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WFU4N60 | Silicon N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using Winsemis advanced planar stripe,VDMOS technology.this latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics .This devices is specially well suited for half bridge and ful 文件：490.77 Kbytes 页数：7 Pages | WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司 | WINSEMI | |
WFU4N60 | 600V N-Channel MOSFET 600V N-Channel MOSFET Features □ Low Intrinsic Capacitances □ Excellent Switching Characteristics □ Extended Safe Operating Area □ Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.) □ BVDSS=600V,ID=4A □ Lower RDS(on) : 2.5Ω (Max) @VG=10V □ 100 Avalanche Tested 文件：737.86 Kbytes 页数：6 Pages | WISDOM | WISDOM | |
WFU4N60 | N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.90675 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
WFU4N60 | Silicon N-Channel MOSFET 文件：464.42 Kbytes 页数：8 Pages | WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司 | WINSEMI | |
WFU4N60 | 场效应管 | Winsemi 稳先微电子 | Winsemi | |
Silicon N-Channel MOSFET 文件：464.42 Kbytes 页数：8 Pages | WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司 | WINSEMI |
技术参数
- ID [A]：
4
- RDS(ON) [Ω]：
2.3
- VGS(th) [V]：
2-4
- Package：
TO-251
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISDOW |
2022+ |
TO-251 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
WISDOM |
23+ |
TO-251 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
原厂原装 |
2023+环保现货 |
IPAK |
250000 |
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Winsemi(稳先微) |
2447 |
TO-251 |
105000 |
80个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
WISDOM |
20+ |
TO-3P |
50 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
WISDOM |
2010 |
TO-247 |
129 |
全新原装正品现货 |
询价 | ||
N/A |
22+ |
TO-247 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
Wisdom |
16+ |
TO-3P |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
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