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WFD12N65S

超结器件

Winsemi

稳先微电子

WFF12N65

Silicon N-Channel MOSFET

文件:544.74 Kbytes 页数:7 Pages

WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

WFF12N65L

Silicon N-Channel MOSFET

文件:247.36 Kbytes 页数:8 Pages

WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

WFF12N65S

650V Super-Junction Power MOSFET

文件:389.69 Kbytes 页数:6 Pages

WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

技术参数

  • VDS_(V):

    650

  • ID_ (A):

    11

  • VGS _(±V):

    30

  • Rds(on)@VG=10V_Typ. (Ω):

    0.36

  • Rds(on)@VG=10V_Max. (Ω):

    0.4

  • VGS(TH)_Min. (V):

    2.5

  • VGS(TH)_Typ. (V):

    /

  • VGS(TH)_Max. (V):

    4

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
PERSEMI
23+
DIP
11200
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24+
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6000
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24+
BGA
200000
原装进口正口,支持样品
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ST
25+
BGA
16900
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BGA
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更多WFD12N65S供应商 更新时间2026-1-28 11:10:00