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W987D2HBJX6E

128Mb Mobile LPSDR

文件:1.06725 Mbytes 页数:66 Pages

WINBOND

华邦电子

W987D2HBJX6I

128Mb Mobile LPSDR

文件:1.06725 Mbytes 页数:66 Pages

WINBOND

华邦电子

W987D2HBJX7E

128Mb Mobile LPSDR

文件:1.06725 Mbytes 页数:66 Pages

WINBOND

华邦电子

W987D2HBJX7G

128Mb Mobile LPSDR

文件:1.06725 Mbytes 页数:66 Pages

WINBOND

华邦电子

W987D2HBJX7I

128Mb Mobile LPSDR

文件:1.06725 Mbytes 页数:66 Pages

WINBOND

华邦电子

W987D2HBJX

低功耗单存取同步动态随机存取内存(Low Power SDR SDRAM)

This is a 128Mb Low Power SDR SDRAM organized as 1M words x 4 banks x 32bits •Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V \n• Data width: x32 \n• Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 133MHz, 166MHz \n• Standard Self Refresh Mode \n• PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD \n• Programmable output buffer driver strength \n• Four internal banks for concurrent operation ;

Winbond

华邦电子

W987D2HBJX6E TR

Package:90-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

Winbond Electronics

Winbond Electronics

W987D2HBJX6I

Package:90-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

Winbond Electronics

Winbond Electronics

W987D2HBJX6I TR

Package:90-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

Winbond Electronics

Winbond Electronics

产品属性

  • 产品编号:

    W987D2HBJX6E

  • 制造商:

    Winbond Electronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - 移动 LPSDR

  • 存储容量:

    128Mb(4M x 32)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -25°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    90-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    90-VFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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WINBOND(华邦)
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90-VFBGA(8x13)
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Winbond Electronics
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更多W987D2HBJX供应商 更新时间2026-1-28 10:01:00