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W987D2HBJX6E集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

W987D2HBJX6E
厂商型号

W987D2HBJX6E

参数属性

W987D2HBJX6E 封装/外壳为90-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

功能描述

128Mb Mobile LPSDR
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

文件大小

1.06725 Mbytes

页面数量

66

生产厂商 Winbond Electronics
企业简称

Winbond华邦电子

中文名称

华邦电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 9:54:00

W987D2HBJX6E规格书详情

W987D2HBJX6E属于集成电路(IC) > 存储器。华邦电子股份有限公司制造生产的W987D2HBJX6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    W987D2HBJX6E

  • 制造商:

    Winbond Electronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - 移动 LPSDR

  • 存储容量:

    128Mb(4M x 32)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -25°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    90-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    90-VFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Winbond Electronics
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Winbond Electronics
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