低功耗双存取同步动态随机存取内存-第二代

This is a 1Gb Low Power DDR2 SDRAM organized as 4M words x 8 banks x 32bits\n Burst Type: Sequential or Interleave\n• PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD\n• Four internal banks for concurrent operation\n• Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver;

Winbond

华邦电子

Package：134-VFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：1GB LPDDR2, X16, 533MHZ, -25 ~ 8

Winbond Electronics

Package：134-VFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：1GB LPDDR2, X16, 533MHZ, -40 ~ 8

Winbond Electronics

Package：134-VFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：1GB LPDDR2, X16, 533MHZ, -40 ~ 8

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