低功耗单存取同步动态随机存取内存(Low Power SDR SDRAM)

This is a 512Mb Low Power SDR SDRAM organized as 8M words x 4 banks x 16bits •Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V \n• Data width: x16 \n• Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 133MHz, 166MHz \n• Standard Self Refresh Mode \n• PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD \n• Programmable output buffer driver strength \n• Four internal banks for concurrent operation ;

Winbond

华邦电子

Package：54-TFBGA；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：512MB LPSDR, X16, 166MHZ, 46NM

Winbond Electronics

Package：54-TFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54VFBGA

Winbond Electronics

Package：54-TFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54VFBGA

Winbond Electronics