低功耗双存取同步动态随机存取内存(第二代)

This is a 1Gb Low Power DDR2 SDRAM organized as 8M words x 8 banks x 16bits •Power supply VDD1 = 1.7V~1.95V、VDD2/VDDCA/VDDQ = 1.14V~1.30V \n• Data width: x16 \n• Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 400MHz, 533MHz \n• Standard Self Refresh Mode \n• PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD \n• Programmable output buffer driver strength \n• Four internal banks for concurre;

Winbond

华邦电子

Package：134-VFBGA；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA

Winbond Electronics

Package：134-VFBGA；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA

Winbond Electronics

Package：134-VFBGA；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA

Winbond Electronics